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IXFK140N25T
IXFX140N25T
180
Fig. 7. Input Admittance
220
Fig. 8. Transconductance
160
200
T J = - 40oC
140
120
100
80
60
T J = 125oC
25oC
- 40oC
180
160
140
120
100
80
25oC
125oC
60
40
40
20
0
20
0
3.0
3.5
4.0
4.5
5.0
5.5
6.0
6.5
0
20
40
60
80
100
120
140
160
180
200
350
V GS - Volts
Fig. 9. Forward Voltage Drop of
Intrinsic Diode
10
I D - Amperes
Fig. 10. Gate Charge
9
V DS = 125V
300
250
200
150
8
7
6
5
4
I D = 70A
I G = 10mA
100
50
0
T J = 125oC
T J = 25oC
3
2
1
0
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
1.1
1.2
1.3
1.4
0
30
60
90
120
150
180
210
240
270
100,000
f = 1 MHz
V SD - Volts
Fig. 11. Capacitance
Ciss
1,000
Q G - NanoCoulombs
Fig. 12. Forward-Bias Safe Operating Area
R DS( on ) Limit
10,000
100
25μs
1,000
100
Coss
Crss
10
1
T J = 150oC
T C = 25oC
Single Pulse
1ms
100μs
0
5
10
15
20
25
30
35
40
1
10
100
1000
V DS - Volts
IXYS Reserves the Right to Change Limits, Test Conditions, and Dimensions.
V DS - Volts
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